요약
본 발명은 무기 박막 정공주입층을 적용한 유기 발광 소자에 관한 것이다. 보다 상세히, 무기 박막(BaSnO3, 도핑 물질 포함)을 유기발광다이오드, 양자점 디바이스 등의 발광 장치에 양극과 정공 수송층 사이에 위치하는 정공 주입층을 무기물을 이용한 박막 형태로 제작한 유기 발광 소자에 관한 것이다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되는 정공 주입층; 상기 정공 주입층 상에 형성되는 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 형성되는 발광층; 상기 발광층 상에 형성되는 전자 수송층; 상기 전자 수송층 상에 형성되는 전자 주입층; 및 상기 전자 주입층 상에 형성되는 제2 전극을 포함하고, 상기 정공 주입층은 무기물로 형성되고, 상기 정공 수송층, 상기 발광층, 상기 전자 수송층 및 상기 전자 주입층 중 적어도 하나는 유기물로 형성된다.
