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탄소나노튜브 전계효과 트랜지스터의 제조방법(preparation method of field effect transistor having carbon nanotube)

권리구분
특허
출원일자
2015-06-19
출원번호
10-2015-0087687
등록일자
2018-01-25
등록번호
10-1824207
법적상태
등록
발명자소속
발명자
김태현
대표출원인
순천향대학교 산학협력단
단독출원여부
Y
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비고
요약
본 발명의 일 실시예에 따른 기능화된 탄소나노튜브 전계효과 트랜지스터의 제조방법은 전기화학적 방법으로 유도된 산화환원반응에 의하여 탄소나노튜브 전계효과 트랜지스터에 포함된 탄소나노튜브의 표면과 가지형 나노구조체의 일 말단이 공유결합하여 상기 가지형 나노구조체를 상기 탄소나노튜브에 고정하는 고정단계;를 포함한다. 상기 제조방법은, 제조방법은 산을 사용하지 않아서 작업성이 우수하고, 간단한 설비로도 비교적 빠르고 간단하게 고정화 반응을 진행시킬 수 있다.